Выпуски

 / 

2018

 / 

Ноябрь

  

Конференции и симпозиумы


Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций

 а,  а, б
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
б Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация

Выяснены условия применимости теории среднего поля для описания термодинамики поверхности кристаллов 4He. Хотя сам переход огранения относится к переходам типа Березинского—Костерлица—Таулеса, термодинамический потенциал вне узкой окрестности температуры перехода можно разлагать в ряд в духе теории Ландау фазовых переходов второго рода. Найден параметр Гинзбурга—Леванюка. Дано объяснение сингулярностей поверхностной жёсткости вблизи критических ориентаций, наблюдаемых при температурах, далёких от критической.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: квантовые кристаллы, фазовые переходы, поверхностные явления, переход Березинского—Костерлица—Таулеса
PACS: 05.70.Np, 67.80.−s, 68.35.−p, 68.35.Rh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.12.038352
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/11/h/
Цитата: Андреев А Ф, Мельниковский Л А "Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций" УФН 188 1199–1202 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 30 марта 2018, 13 декабря 2017

English citation: Andreev A F, Melnikovsky L A “Equilibrium shape of 4He crystals near critical surface directionsPhys. Usp. 61 (11) (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.12.038352

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение