Выпуски

 / 

2018

 / 

Ноябрь

  

Конференции и симпозиумы


Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций

 а,  а, б
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
б Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация

Выяснены условия применимости теории среднего поля для описания термодинамики поверхности кристаллов 4He. Хотя сам переход огранения относится к переходам типа Березинского—Костерлица—Таулеса, термодинамический потенциал вне узкой окрестности температуры перехода можно разлагать в ряд в духе теории Ландау фазовых переходов второго рода. Найден параметр Гинзбурга—Леванюка. Дано объяснение сингулярностей поверхностной жёсткости вблизи критических ориентаций, наблюдаемых при температурах, далёких от критической.

Текст pdf (612 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.12.038352
Ключевые слова: квантовые кристаллы, фазовые переходы, поверхностные явления, переход Березинского—Костерлица—Таулеса
PACS: 05.70.Np, 67.80.−s, 68.35.−p, 68.35.Rh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.12.038352
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/11/h/
000457154900007
2-s2.0-85062301877
2018PhyU...61.1090A
Цитата: Андреев А Ф, Мельниковский Л А "Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций" УФН 188 1199–1202 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 30 марта 2018, 13 декабря 2017

English citation: Andreev A F, Melnikovsky L A “Equilibrium shape of 4He crystals near critical surface directionsPhys. Usp. 61 1090–1093 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.12.038352

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение