29 ноября 2017 года в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (РАН) состоялась Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук "Топологические состояния: что это и для чего?".
Объявленная на web-сайте Отделения физических наук РАН \href www.gpad.ac.ru повестка заседания содержала следующие доклады:

1. Тарасенко С.А. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург). Электронные свойства топологических изоляторов.
2. Девятов Э.В.} (Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка, Московская обл.). Перенос заряда между сверхпроводником и краевым токонесущим состоянием в двумерной системе с инверсией зон.
3. Волков В.А.} (Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва). Поверхностные состояния дираковских и вейлевских фермионов.

PACS: 01.10.−m, 01.10.Fv (все) DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038257 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/h/ 000454141800009 2-s2.0-85085980838 2018PhyU...61.1026. Цитата: "Топологические состояния: что это и для чего? Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 29 ноября 2017 г." УФН 188 1129–1129 (2018) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Одобрена в печать: 29 ноября 2017 English citation: “Topological states: what are they and what are they for? Scientific session of the Physical Sciences Division of the Russian Academy of Sciences, 29 November 2017” Phys. Usp. 61 1026–1026 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038257