|
||||||||||||||||||
Физическая кинетика движения дислокаций в немагнитных кристаллах: взгляд через магнитное окноа Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация б Польско-Японская академия информационных технологий, Варшава, Польша Обсуждены новые закономерности кинематики магнитопластичности, установленные на основе физических экспериментов и компьютерного моделирования. Рассмотрено движение дислокаций через случайную сетку точечных дефектов под действием магнитного поля, переключающего примесные центры в состояние с пониженной силой пиннинга. Наряду с измеренными характеристиками, впервые изучены скрытые параметры движения, доступные лишь в компьютерных экспериментах. Показано, что распределение стопоров на дислокации не зависит от их концентрации C, а их среднее число и критическая сила отрыва дислокации пропорциональны √C. Предложена модель, в рамках которой впервые удалось объяснить наблюдаемую зависимость средней скорости дислокаций в магнитном поле: ν ∝ 1/√C. Из модели следует, что существует скрытый резерв увеличения скорости на несколько порядков, — последнее уже реализовано в кристаллах NaCl при дополнительном воздействии на них слабого электрического поля.
|
||||||||||||||||||
|