Представлен обзор литературных данных по тонкоплёночным солнечным элементам с поглощающими слоями на основе четверных соединений меди типа Cu-In-Ga-(S,Se) (CIGS). Рассмотрены способы приготовления поглощающих слоёв CIGS, химический состав, особенности конструкции и принципы функционирования солнечных элементов на основе CIGS. Публикации последних лет в совокупности свидетельствуют о наметившихся изменениях в характере исследований: важные результаты были получены благодаря численному моделированию процессов в тонкоплёночных солнечных элементах, активизировались исследования роли градиентов концентрации элементов в структуре CIGS и неоднородного пространственного распределения ширины запрещённой зоны, роли границ между зёрнами слоёв, а также кинетические исследования.

Ключевые слова: фотовольтаика, тонкие плёнки, солнечные элементы, халькопириты, CIGS PACS: 81.05.Hd, 84.60.Jt, 88.40.fc, 88.40.jn (все) DOI: 10.3367/UFNr.2016.06.037827 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/2/c/ 000401039000003 2-s2.0-85019155292 2017PhyU...60..161N Цитата: Новиков Г Ф, Гапанович М В "Солнечные преобразователи третьего поколения на основе Cu-In-Ga-(S, Se)" УФН 187 173–191 (2017) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 23 марта 2016, доработана: 3 июня 2016, одобрена в печать: 9 июня 2016 English citation: Novikov G F, Gapanovich M V “Third generation Cu-In-Ga-(S,-Se) based solar inverters” Phys. Usp. 60 161–178 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2016.06.037827