Выпуски

 / 

2016

 / 

Июнь

  

Конференции и симпозиумы. 70 лет Казанскому физико-техническому институту им. Е.К. Завойского Казанского научного центра РАН


Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Уникальные квантовые свойства азотно-вакансионного центра окраски (NV-центра) в алмазе мотивировали проведение поисков центров окраски с аналогичными свойствами в карбиде кремния (SiC), которые могут усилить функциональность таких систем. Представлены результаты исследований, дающие основание считать, что вакансонные спиновые центры окраски в SiC не только обладают свойствами, аналогичными тем, которые характерны для NV-центров в алмазе, но и существенно их расширяют, что делает эти объекты перспективными квантовыми системами для многочисленных применений в спинтронике, в области квантовой обработки информации и сенсорикe в условиях окружающей среды.

Текст pdf (955 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2016.02.037755
Ключевые слова: спиновые центры, вакансионные кремниевые центры, оптическая поляризация электронных спинов, магнитный резонанс
PACS: 76.30.−v, 78.47.−p, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.02.037755
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/6/l/
000386349400011
2-s2.0-84987623641
2016PhyU...59..613B
Цитата: Солтамов В А, Баранов П Г "Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния" УФН 186 678–684 (2016)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Radio spectroscopy of the optically aligned spin states of color centers in silicon carbide
%A V. A. Soltamov
%A P. G. Baranov
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 2016
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 186
%N 6
%P 678-684
%U https://ufn.ru/ru/articles/2016/6/l/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.2016.02.037755

Поступила: 7 марта 2016, 4 февраля 2016

English citation: Soltamov V A, Baranov P G “Radio spectroscopy of the optically aligned spin states of color centers in silicon carbidePhys. Usp. 59 605–610 (2016); DOI: 10.3367/UFNe.2016.02.037755

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение