Выпуски

 / 

2013

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

 а, б,  б
а Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
б Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Graphene-based semiconductor nanostructures
A1 Sorokin,P.B.
A1 Chernozatonskii,L.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2013
FD 10 Feb, 2013
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 183
IS 2
SP 113-132
DO 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
LK https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/

Поступила: 30 января 2012, 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructuresPhys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение