Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

П.Б. Сорокин^а, б, Л.А. Чернозатонский^б
^аТехнологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
^бИнститут биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст pdf (4,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
Web of Science

000319332300001
Scopus

2-s2.0-84878248305
ADS NASA

2013PhyU...56..105S
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Graphene-based semiconductor nanostructures
AU Sorokin, P. B.
AU Chernozatonskii, L. A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2013
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 183
IS 2
SP 113-132
UR https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201302a.0113

Поступила: 30 января 2012, одобрена в печать: 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113