Выпуски

 / 

2013

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

 а, б,  б
а Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
б Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Graphene-based semiconductor nanostructures
AU Sorokin, P. B.
AU Chernozatonskii, L. A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2013
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 183
IS 2
SP 113-132
UR https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201302a.0113

Поступила: 30 января 2012, 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructuresPhys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение