Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

П.Б. Сорокин^а, б, Л.А. Чернозатонский^б
^аТехнологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
^бИнститут биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст pdf (4,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
Web of Science

000319332300001
Scopus

2-s2.0-84878248305
ADS NASA

2013PhyU...56..105S
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Graphene-based semiconductor nanostructures
%A P. B. Sorokin
%A L. A. Chernozatonskii
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 2013
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 183
%N 2
%P 113-132
%U https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201302a.0113

Поступила: 30 января 2012, одобрена в печать: 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113