Выпуски

 / 

2011

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры

 а, б, в,  г, в
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
в Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
г Air Force Institute of Technology, Department of Electrical and Computer Engineering, 2950 P Street B640, Wright-Patterson AFB, Ohio, 45433, USA

К 50-летию создания лазера (Научная сессия Общего собрания Отделения физических наук Российской академии наук, 13 декабря 2010 г.)

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 42.62.−b, 42.82.−m, 85.40.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0181.201108h.0884
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2011/8/h/
Цитата: Леденцов Н Н, Лотт Дж А "Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры" УФН 181 884–890 (2011)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

13 декабря 2010

English citation: Ledentsov N N, Lott J A “New-generation vertically emitting lasers as a key factor in the computer communication eraPhys. Usp. 54 853–858 (2011); DOI: 10.3367/UFNe.0181.201108h.0884

Список литературы (17) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (4) Похожие статьи (20)

  1. Benner A "Optical interconnects for HPC" Short Distance High Density Optical Interconnects Workshop. An OIDA Roadmapping Workshop, Stanford, CA, April 12 - 13, 2011
  2. Iga K IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 6 1201 (2000)
  3. Алферов Ж И ФТП 32 3 (1998); Alferov Zh I Semiconductors 32 1 (1998)
  4. Ledentsov N N, Bimberg D, Alferov Zh I J. Lightwave Technol. 26 1540 (2008)
  5. Lott J A et al. Electron. Lett. 36 1384 (2000)
  6. Tanaka Yu et al. "25 Gbps direct modulation in 1.3-μm InAs/GaAs high-density quantum dot lasers" Conf. on Lasers and Electro-Optics, OSA Technical Digest (Washington, DC: Optical Society of America, 2010), CD, paper CTuZ1
  7. Ledentsov N N, Hopfer F, Bimberg D Proc. IEEE 95 1741 (2007)
  8. Dingle R, Henry C H "Quantum effects in heterostructure lasers" U.S. Patent No. 3982207, September 21, 1976
  9. Ledentsov N N et al. Proc. SPIE 7224 72240P (2009)
  10. Bennett A J et al. Appl. Phys. Lett. 90 191911 (2007)
  11. Mutig A et al. Appl. Phys. Lett. 95 131101 (2009)
  12. Ledentsov N N et al. Proc. SPIE 7952 79520J (2011)
  13. Westbergh P et al. Electron. Lett. 46 938 (2010)
  14. Hofmann W, Amann M-C IET Optoelectron. 2 134 (2008)
  15. Lott J A et al. Electron. Lett. 47 717 (2011)
  16. Shchukin V A et al. Proc. SPIE 6889 68890H (2008)
  17. Crisp M J et al. Proc. SPIE 7933 79331D (2011)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение