Выпуск 4, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

2009

/

Сентябрь

← →

Конференции и симпозиумы

Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

Т.В. Шубина, С.В. Иванов, А.А. Торопов, П.С. Копьев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Наноплазмоника и метаматериалы (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 27 апреля 2009 г.).

Текст pdf (905 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007

PACS: 36.40.Gk, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
Web of Science

Web of Science

000274047000007
Scopus

Scopus

2-s2.0-76349099841
ADS NASA

ADS NASA

2009PhyU...52..949S
Цитата: Шубина Т В, Иванов С В, Торопов А А, Копьев П С "Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N" УФН 179 1007–1012 (2009)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

English

PT Journal Article
TI Plasmon effects in In(Ga)N-based nanostructures
AU Shubina T V
FAU Shubina TV
AU Ivanov S V
FAU Ivanov SV
AU Toropov A A
FAU Toropov AA
AU Kop’ev P S
FAU Kop’ev PS
DP 10 Sep, 2009
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 179
IP 9
PG 1007-1012
RX 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
URL https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
SO Usp. Fiz. Nauk 2009 Sep 10;179(9):1007-1012

English citation: Shubina T V, Ivanov S V, Toropov A A, Kop’ev P S “Plasmon effects in In(Ga)N-based nanostructures” Phys. Usp. 52 949–953 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение