Рассматривается состояние позитрония, локализованного в микрополости, находящейся в условиях высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП). Взаимодействие такого позитрония с электронами зоны проводимости интерпретируется как результат процессов Ps ↔ е⁺ + е ^-. Математическое описание этих процессов производится на основе известной модели Андерсона для магнитной примеси в нормальном металле. Согласно этой модели взаимодействие, связанное с превращениями Ps ↔ е⁺ + е ^-, возникает как результат гибридизации состояния позитрония с состояниями электронов зоны проводимости и с состоянием позитрона, остающегося внутри полости. Локальная плотность состояний взаимодействующего позитрония, аналогично свойствам магнитной примеси, проявляет эффект кондо-резонанса. Исходя из экспериментальных данных о значениях времени жизни τ₂ позитронов, захваченных микрополостями, делается вывод о том, что взаимодействие гибридизации является значительно более сильным, чем внутриатомное релятивистское взаимодействие между электроном и позитроном в атоме Ps. Используемая модель взаимодействующего Ps позволяет связать экспериментально наблюдаемые значения τ₂(T) со свойствами электронной структуры металлического вещества. Интерпретируются экспериментальные результаты для керамических образцов ВТСП (BiPb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O_x ((Bi,Pb)-2223), показывающие, что при Т = Т_с, где Т_с — температура перехода в сверхпроводящее состояние, величина τ₂(T) скачкообразно уменьшается. На основе рассматриваемой модели делаются выводы о связи экспериментально наблюдаемой для (Bi,Pb)-2223 температурной зависимости τ₂(T) при Т> Т_с со свойствами псевдощели.

PACS: 71.60.+z, 74.25.Jb, 74.72.−h, 78.70.Bj (все) DOI: 10.3367/UFNr.0179.200907b.0727 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/7/b/ 000272512700002 2-s2.0-70449553413 2009PhyU...52..687S Цитата: Седов В Л "Позитроний в микрополости в высокотемпературном сверхпроводнике" УФН 179 727–736 (2009) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Sedov V L “Positronium in a cavity in a high-Tc superconductor” Phys. Usp. 52 687–694 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200907b.0727