Спинтроника: обменное переключение ферромагнитных металлических переходов при малой плотности тока

Ю.В. Гуляев^а, П.Е. Зильберман^б, А.И. Панас^б, Э.М. Эпштейн^б
^аИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, ул. Моховая 11, кор. 7, Москва, 125009, Российская Федерация
^бИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязинский филиал, пл. Введенского 1, Фрязино, Московская обл., 141190, Российская Федерация

Представлен обзор работ по обменному переключению ферромагнитных металлических переходов при малых пороговых плотностях тока. Радикальное (на порядки) уменьшение порога достигается при доминировании механизма инжекции неравновесных спинов током, оптимальном соотношении спиновых сопротивлений слоёв, а также при наложении внешнего магнитного поля вблизи порога ориентационного фазового перехода.

Текст pdf (651 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200904b.0359

PACS: 72.25.Ba, 72.25.Hg, 75.47.−m (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200904b.0359
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/4/b/
Web of Science

000268782400002
Scopus

2-s2.0-68249150911
ADS NASA

2009PhyU...52..335G
Цитата: Гуляев Ю В, Зильберман П Е, Панас А И, Эпштейн Э М "Спинтроника: обменное переключение ферромагнитных металлических переходов при малой плотности тока" УФН 179 359–368 (2009)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gulyaev Yu V, Zilberman P E, Panas A I, Epshtein E M “Spintronics: exchange switching of ferromagnetic metallic junctions at a low current density” Phys. Usp. 52 335–343 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200904b.0359

Список литературы (30) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (38) Похожие статьи (20)

Захарченя Б П и др. УФН 136 459 (1982); Zakharchenya B P et al. Sov. Phys. Usp. 25 143 (1982)
Prinz G A Science 282 1660 (1998)
Žutić I J. Supercond. 15 5 (2002)
Johnson M Proc. IEEE 91 652 (2003)
Fert A et al. Europhys. News 34 (6) 227 (2003)
Campbell I A, Fert A in Ferromagnetic Materials Vol. 3 (Ed. E P Wohlfarth) (Amsterdam: North-Holland, 1982) p. 747
Binasch G et al. Phys. Rev. B 39 4828 (1989)
Fert A Rev. Mod. Phys. 80 1517 (2008); Fert A УФН 178 1336 (2008); Grünberg P A Rev. Mod. Phys. 80 1531 (2008); Грюнберг П А УФН 178 1349 (2008)
Slonczewski J C J. Magn. Magn. Mater. 159 L1 (1996)
Berger L Phys. Rev. B 54 9353 (1996)
Heide C, Zilberman P E, Elliott R J Phys. Rev. B 63 064424 (2001)
Гуляев Ю В, Зильберман П Е, Эпштейн Э М, Эллиотт Р Дж Письма в ЖЭТФ 76 189 (2002); Gulyaev Yu V, Zil'berman P E, Epshtein E M, Elliott R J JETP Lett. 76 155 (2002)
Meng H, Wang J, Wang J-P Appl. Phys. Lett. 88 082504 (2006)
Myers E B et al. Science 285 867 (1999)
Huai Y et al. Appl. Phys. Lett. 87 222510 (2005)
Parkin S S P et al. Nature Mater. 3 862 (2004)
Shockley W Electrons and Holes in Semiconductors, with Applications to Transistor Electronics (New York: Van Nostrand, 1950); Шокли В Теория электронных полупроводников. Приложение к теории транзисторов (М.: ИЛ, 1953)
Аронов А Г Письма в ЖЭТФ 24 37 (1976); Aronov A G JETP Lett. 24 32 (1976)
Kadigrobov A et al. Europhys. Lett. 67 948 (2004)
Гуляев Ю В и др. Письма в ЖЭТФ 85 192 (2007); Gulyaev Yu V et al. JETP Lett. 85 160 (2007)
Гуляев Ю В, Зильберман П Е, Крикунов А И, Эпштейн Э М ЖТФ 77 (9) 67 (2007); Gulyaev Yu V, Zilberman P E, Krikunov A I, Epshtein E M Tech. Phys. 52 1169 (2007)
Гуляев Ю В, Зильберман П Е, Эпштейн Э М, Эллиотт Р Дж ЖЭТФ 127 1138 (2005); Gulyaev Yu V, Zil'berman P E, Epshtein E M, Elliott R J JETP 100 1005 (2005)
Epshtein E M, Gulyaev Yu V, Zilberman P E, cond-mat/0606102
Гуляев Ю В, Зильберман П Е, Панас А И, Эпштейн Э М ЖЭТФ 134 1200 (2008); Gulyaev Yu V, Zilberman P E, Panas A I, Epshtein E M JETP 107 1027 (2008)
Stiles M D, Zangwill A Phys. Rev. B 66 014407 (2002)
Stiles M D, Xiao J, Zangwill A Phys. Rev. B 69 054408 (2004)
Epshtein E M, Gulyaev Yu V, Zilberman P E J. Magn. Magn. Mater. 312 200 (2007)
Гуляев Ю В, Зильберман П Е, Панас А И, Эпштейн Э М Письма в ЖЭТФ 86 381 (2007); Gulyaev Yu V, Zil'berman P E, Panas A I, Epshtein E M JETP Lett. 86 328 (2007)
Крикунов А И, Крышталь Р Г, Медведь А В в сб. Новые магнитные материалы микроэлектроники. Сб. трудов XIX Междунар. школы-семинара, Москва, 28 июня - 2 июля 2004 г. (М.: Изд-во Физ. фак. МГУ, 2004) с. 868
Крикунов А И, Крышталь Р Г, Медведь А В "Исследования по спинтронике (ФИРЭ РАН, 2003 - 2005)" Отчет ИРЭ РАН (М.: ИРЭ РАН, 2006)