Выпуски

 / 

2008

 / 

Январь

  

Приборы и методы исследований


Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических плазменных катодов


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

На основе анализа ранее и недавно полученных экспериментальных результатов показано, что интенсивная электронная эмиссия из диэлектрических катодов вызывается незавершенным разрядом по поверхности диэлектрика, обусловленным наличием на ней тангенциальной составляющей электрического поля. Местами зарождения таких разрядов являются тройные точки (ТТ) металл-диэлектрик-вакуум. Плазма разряда, двигаясь по поверхности диэлектрического электрода, приводит к возникновению тока смещения и электрического микровзрыва в ТТ. При наличии большого числа ТТ, что обеспечивается металлической сеткой, плотно прижатой к сегнетоэлектрику, можно получать электронный ток до 104 А плотностью порядка более чем 102 А см-2. Для инициирования поверхностного разряда на противоположную сторону сегнетоэлектрика наносят металлическое покрытие — подложку, на которую подают пусковой импульс. При опережающей подаче этого импульса по отношению к импульсу ускоряющего напряжения электронный ток многократно превышает ток Чайльда-Ленгмюра. Сегнетоэлектрический эффект обусловлен большой диэлектрической проницаемостью (ε > 103) используемых материалов (BaTiO3, PLZT, PZT). Такие катоды получили название сегнетоэлектрических. Однако для того, чтобы подчеркнуть важную роль плазменных эффектов, нами предложено называть их сегнетоэлектрическими плазменными (СЭП) катодами.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 52.80.−s, 84.70.+p, 85.45.−w (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200801e.0085
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/1/f/
Цитата: Месяц Г А "Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических плазменных катодов" УФН 178 85–108 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Mesyats G A “Electron emission from ferroelectric plasma cathodesPhys. Usp. 51 79–100 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n01ABEH006426

Список литературы (101) Статьи, ссылающиеся на эту (19) ↓ Похожие статьи (4)

  1. Liu Ya, Xu X et al Pramana - J Phys 92 (4) (2019)
  2. Mesyats G A Russ Phys J 61 807 (2018)
  3. Andrianov V A, Bush A A et al J. Synch. Investig. 11 704 (2017)
  4. Khasanshin R H, Novikov L S, Korovin S B J. Synch. Investig. 10 1001 (2016)
  5. Hang T, Glaum Ju et al Acta Materialia 102 284 (2016)
  6. Orbach Ya, Nissan T et al IEEE Trans. Electron Devices 63 2156 (2016)
  7. Darinskii B M, Lazarev A P, Sigov A S Phys. Solid State 57 1160 (2015)
  8. Janus H W, Halenka J, Biedrzycki K J. Phys. D: Appl. Phys. 47 305202 (2014)
  9. Hutsel B T, Kovaleski S D et al IEEE Trans. Plasma Sci. 41 99 (2013)
  10. Einat M, Pilossof M et al Phys. Rev. Lett. 109 (18) (2012)
  11. Ben-Moshe R, Einat M Appl. Phys. Lett. 98 173506 (2011)
  12. Konieczna B, Biedrzycki K et al Ferroelectrics 417 33 (2011)
  13. Korobkin Yu V, Gorbunov S P et al Tech. Phys. Lett. 36 447 (2010)
  14. Yarmolich D, Vekselman V et al IEEE Trans. Plasma Sci. 37 1261 (2009)
  15. YUN YE, TAILIANG GUO Integrated Ferroelectrics 107 105 (2009)
  16. Gurovich V T, Krasik Ya E et al Journal of Applied Physics 106 053301 (2009)
  17. Vekselman V, Gleizer J et al Physics of Plasmas 16 113504 (2009)
  18. Yarmolich D, Vekselman V et al Plasma Sources Sci. Technol. 17 035002 (2008)
  19. Kushnir V A, Khodak I V Instrum Exp Tech 51 729 (2008)

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение