Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe
Е.Б. Ольшанецкийа,
В. Ренарб,
З.Д. Квона,
И.В. Горныйв,
А.И. Торопова,
Ж.К. Порталб аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация бHigh Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
26 октября 2005 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная
научная сессия Отделения физических наук Российской
академии наук и Объединенного физического общества
Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах». На сессии были заслушаны
доклады:
1. Пудалов В.М. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН). Переход металл-изолятор в двумерной
сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления.
2. Иорданский С.В., Кашуба А. (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН). Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур.
3. Ольшанецкий Е.Б. (Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН, Новосибирск), Ренар В.
(Renard V.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция), Квон З.Д. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Горный И.В. (Institut fur Nanotechnologie, Karlsruhe, Германиия, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), Торопов А.И. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Портал Ж.К. (Portal J.C.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция). Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.
Публикуется краткое содержание докладов.
PT Journal Article
TI Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctions
AU Olshanetskii E B
FAU Olshanetskii EB
AU Renard V
FAU Renard V
AU Kvon Z D
FAU Kvon ZD
AU Gornyi I V
FAU Gornyi IV
AU Toropov A I
FAU Toropov AI
AU Portal J C
FAU Portal JC
DP 10 Feb, 2006
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 176
IP 2
PG 222-227
RX 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222
URL https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
SO Usp. Fiz. Nauk 2006 Feb 10;176(2):222-227