Выпуски

 / 

2006

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур

,
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, просп. Академика Семенова 1А, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

26 октября 2005 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах». На сессии были заслушаны доклады:
1. Пудалов В.М. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН). Переход металл-изолятор в двумерной сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления.
2. Иорданский С.В., Кашуба А. (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН). Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур.
3. Ольшанецкий Е.Б. (Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН, Новосибирск), Ренар В. (Renard V.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция), Квон З.Д. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Горный И.В. (Institut fur Nanotechnologie, Karlsruhe, Германиия, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), Торопов А.И. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Портал Ж.К. (Portal J.C.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция). Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст pdf (245 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005922
PACS: 01.10.Fv, 71.10.Ca, 71.27.+a, 73.43.Cd (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602f.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/f/
000238659100006
2-s2.0-33745655208
2006PhyU...49..208I
Цитата: Иорданский С В, Кашуба А "Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур" УФН 176 219–222 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Iordanskii S V, Kashuba A “Two-dimensional multicomponent electron gas as a model for silicon heterostructuresPhys. Usp. 49 208–211 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005922

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение