Выпуски

 / 

2005

 / 

Июнь

  

Методические заметки


Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Представлен взгляд на гибридную структуру ферромагнетик-полупроводник как на единую перестраиваемую систему. На основе анализа существующих экспериментов показано, что, вопреки «здравому смыслу», немагнитный полупроводник способен играть важную роль в управлении ферромагнетизмом. При посредстве полупроводника магнитные свойства гибрида (петлю гистерезиса и ориентацию намагниченности в пространстве) можно перестраивать оптически и электрически. В результате гибридную систему можно рассматривать как элементарную ячейку памяти с электронной записью и считыванием.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 72.25.Pn, 78.67.−n, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200506d.0629
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/
Цитата: Захарченя Б П, Коренев В Л "Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику" УФН 175 629–635 (2005)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Integrating magnetism into semiconductor electronics
AU Zakharchenya, B. P.
AU Korenev, V. L.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2005
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 175
IS 6
SP 629-635
UR https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200506d.0629

English citation: Zakharchenya B P, Korenev V L “Integrating magnetism into semiconductor electronicsPhys. Usp. 48 603–608 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n06ABEH002200

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение