Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов

Р.З. Бахтизин^а, Ч.-Ж. Щуе^б, Ч.-К. Щуе^б, К.-Х. Ву^б, Т. Сакурай^б
^аБашкирский государственный университет, Уфа, Российская Федерация
^бInstitute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Sendai, 980-77, Japan

Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. C использованием уникальной установки, включающей сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), в условиях сверхвысокого вакуума in situ исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами МВЕ в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Из анализа СТМ-изображений с атомным разрешением и сопоставления их с результатами первопринципных расчетов полной энергии разработаны модели наблюдавшихся поверхностных фаз.

Текст pdf (1,5 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643

PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200404d.0383
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/
Web of Science

000223560800004
ADS NASA

2004PhyU...47..371B
Цитата: Бахтизин Р З, Щуе Ч-Ж, Щуе Ч-К, Ву К-Х, Сакурай Т "Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов" УФН 174 383–405 (2004)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Bakhtizin:2004,
	author = {R. Z. Bakhtizin and Q. -Zh. Xue and Q. -K. Xue and K. -H. Wu and T. Sakurai},
	title = {Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {2004},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {174},
	number = {4},
	pages = {383-405},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2004/4/d/},
	doi = {10.3367/UFNr.0174.200404d.0383}
}

English citation: Bakhtizin R Z, Xue Q-Zh, Xue Q-K, Wu K-H, Sakurai T “Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth” Phys. Usp. 47 371–391 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n04ABEH001643