Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона

А.А. Белянин^а, Д. Деппе^б, В.В. Кочаровский^а, В.В. Кочаровский^а, Д.С. Пестов^а, М.О. Скалли^в
^аФедеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603000, Российская Федерация
^бФакультет электротехники и вычислительной техники, университет Техаса, Остин, США
^вИнститут квантовых исследований и физический факультет, университет Техаса, Колледж Стейшен, Техас, США

Текст pdf (234 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001646

PACS: 42.55.Px, 42.60.−v (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309k.1015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/k/
Web of Science

000188171400010
Цитата: Белянин А А, Деппе Д, Кочаровский В В, Кочаровский В В, Пестов Д С, Скалли М О "Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона" УФН 173 1015–1021 (2003)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Belyanin A A, Deppe D, Kocharovskii V V, Kocharovskii V V, Pestov D S, Sculli M O “New semiconductor laser designs and the exploratory investigation of the terahertz frequency range” Phys. Usp. 46 986–992 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001646