Выпуски

 / 

2003

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Электронное комбинационное рассеяние света в высокотемпературных сверхпроводниках.


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Рассматриваются экспериментальные результаты и теоретические основы электронного комбинационного рассеяния света в высокотемпературных сверхпроводниках. Проанализировано влияние температуры, примесного рассеяния и резонансных условий на спектры электронного комбинационного рассеяния в сверхпроводящем состоянии. Основной целью данного обзора является установление связи между различными особенностями спектра неупругого рассеяния света и такими фундаментальными характеристиками сверхпроводящего состояния, как величина сверхпроводящей щели и симметрия спаривания.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 74.25.−q, 74.25.Gz, 74.72.−h (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200304b.0385
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/4/b/
Цитата: Мисочко О В "Электронное комбинационное рассеяние света в высокотемпературных сверхпроводниках." УФН 173 385–405 (2003)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Электронное комбинационное рассеяние света в высокотемпературных сверхпроводниках.
%A О. В. Мисочко
%I Успехи физических наук
%D 2003
%J Усп. физ. наук
%V 173
%N 4
%P 385-405
%U https://ufn.ru/ru/articles/2003/4/b/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200304b.0385

English citation: Misochko O V “Electronic Raman scattering in high-temperature superconductorsPhys. Usp. 46 373–392 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n04ABEH001257

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение