Выпуски

 / 

2002

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Кинетические коэффициенты в кристаллах с изотопическим беспорядком

 а,  б
а Институт сверхпроводимости и физики твердого тела, РНЦ «Курчатовский институт», Москва, Российская Федерация
б Институт молекулярной физики, РНЦ «Курчатовский институт», Москва, Российская Федерация

В обзоре подробно рассмотрены вопросы, связанные с особенностями поведения кинетических коэффициентов таких, как теплопроводность, электропроводность и термоэдс, в изотопически разупорядоченных материалах. Представлены новые экспериментальные и теоретические результаты по изотопическим эффектам в теплопроводности полупроводников — алмаза, германия и кремния. Обсуждается эффект подавления термоэдс фононного увлечения в кристаллах германия с изотопическим беспорядком. Для случая металлов рассказано о влиянии динамических и статических деформаций кристаллической решетки, наряду с тривиальной деформацией фононного спектра, на электропроводность.

Текст pdf (710 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2002v045n05ABEH001084
PACS: 66.70.+f, 72.10.−d, 72.15.Eb, 72.20.Pa (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200205c.0573
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/5/c/
000178059700003
Цитата: Жернов А П, Инюшкин А В "Кинетические коэффициенты в кристаллах с изотопическим беспорядком" УФН 172 573–599 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Zhernov:2002,
	author = {A. P. Zhernov and A. V. Inyushkin},
	title = {Kinetic coefficients in isotopically disordered crystals},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {2002},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {172},
	number = {5},
	pages = {573-599},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2002/5/c/},
	doi = {10.3367/UFNr.0172.200205c.0573}
}

English citation: Zhernov A P, Inyushkin A V “Kinetic coefficients in isotopically disordered crystalsPhys. Usp. 45 527–552 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n05ABEH001084

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение