Выпуски

 / 

2002

 / 

Декабрь

  

Конференции и симпозиумы


Использование поляризованного по спину тока в спинтронике


Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Краткое содержание доклада, представленного на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (27 марта 2002 г.)

Текст pdf (164 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2002v045n12ABEH001270
PACS: 73.40.Gk, 73.40.Rw, 75.70.−i, 85.30.Mn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200212g.1458
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/12/g/
000182061800006
Цитата: Ведяев А В "Использование поляризованного по спину тока в спинтронике" УФН 172 1458–1461 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vedyaev A V “Use of spin-polarized current in spintronicsPhys. Usp. 45 1296–1299 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n12ABEH001270

Список литературы (18) Статьи, ссылающиеся на эту (29) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Ivanov A V, Zipunova E V, Khilkov S A Jetp Lett. 115 153 (2022)
  2. Maftouh A, Rami R et al Solid State Communications 339 114482 (2021)
  3. Bebenin N G Phys. Metals Metallogr. 119 1180 (2018)
  4. Bodnar I V, Victorov I A et al Semiconductors 50 154 (2016)
  5. Bodnar I V, Trukhanov S V, Barugu T H Semiconductors 49 1276 (2015)
  6. Gulyaev Yu V, Zil’berman P E, Chigarev S G J. Commun. Technol. Electron. 60 411 (2015)
  7. Bodnar I V, Jaafar M A et al Mater. Res. Express 2 085901 (2015)
  8. Aminov T G, Novotortsev V N Inorg Mater 50 1343 (2014)
  9. Useinov N Kh Phys. Solid State 55 659 (2013)
  10. Bodnar I V, Novikova M A, Trukhanov S V Semiconductors 47 596 (2013)
  11. Aplesnin S S, Romanova O B et al Phys. Solid State 54 1374 (2012)
  12. Bukharaev A A, Bizyaev D A et al Russ Microelectron 41 78 (2012)
  13. Aminov T G, Efimov N N et al Inorg Mater 48 569 (2012)
  14. Bodnar I V, Pavlukovets S A Semiconductors 45 1395 (2011)
  15. Antonov A V, Nikiforov K G, Bondarenko G G Inorg. Mater. Appl. Res. 2 114 (2011)
  16. Bodnar I V, Rud V Yu et al Semiconductors 45 912 (2011)
  17. Khomenko E V, Chechenin N G et al Phys. Solid State 52 1701 (2010)
  18. Val’kov V V, Aksenov S V Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 74 1 (2010)
  19. Bodnar I V, Rud V Yu et al Semiconductors 44 37 (2010)
  20. Rud V Yu, Rud Yu V et al Semiconductors 44 45 (2010)
  21. Vyzulin S A, Gorobinskii A V et al Moscow Univ. Phys. 64 136 (2009)
  22. Aplesnin S S, Ryabinkina L I et al Phys. Solid State 51 698 (2009)
  23. Ryabinkina L I, Romanova O B, Aplesnin S S Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 72 1050 (2008)
  24. Éminov P A, Perepelkina Yu V, Sezonov Yu I Phys. Solid State 50 2317 (2008)
  25. Aplesnin S S, Ryabinkina L I et al J. Exp. Theor. Phys. 106 765 (2008)
  26. Eminov P A, Sezonov Yu I J. Exp. Theor. Phys. 107 662 (2008)
  27. D’yachenko A I, Krivoruchko V N, Tarenkov V Yu 32 824 (2006)
  28. D’yachenko A I, D’yachenko V A et al Phys. Solid State 48 432 (2006)
  29. Aplesnin S S, Ryabinkina L I et al Phys. Solid State 46 2067 (2004)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение