Памяти Виктора Иосифовича Белиничера

А.Л. Асеев^а, Э.Г. Батыев^а, В.С. Львов, К.А. Кикоин, Л.И. Магарилл^а, М.В. Садовский^б, А.В. Чаплик^а, А.Л. Чернышев, М.В. Энтин
^аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бИнститут электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Текст pdf (93 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2002v045n01ABEH001149

PACS: 01.60.+q
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200201g.0109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/1/g/
Web of Science

000175529500006
Цитата: Асеев А Л, Батыев Э Г, Львов В С, Кикоин К А, Магарилл Л И, Садовский М В, Чаплик А В, Чернышев А Л, Энтин М В "Памяти Виктора Иосифовича Белиничера" УФН 172 109–110 (2002)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Aseev A L, Batyev E G, L’vov V S, Kikoin K A, Magarill L I, Sadovskii M V, Chaplik A V, Chernyshev A L, Entin M V “In memory of Viktor Iosifovich Belinicher” Phys. Usp. 45 101–102 (2002); DOI: 10.1070/PU2002v045n01ABEH001149

В.И. Белиничер — автор УФН