Поверхность <i>β</i>-SiC (100): атомная структура и электронные свойства

В.Ю. Аристов
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Цель данного обзора — собрать воедино и показать современное состояние исследований, касающихся состава, атомной и электронной структуры, а также электронных свойств различных сверхструктур, обнаруженных недавно на чистой β-SiC(100) поверхности. В течение последних 10 лет наблюдался значительный прогресс в экспериментальных и теоретических исследованиях чистой поверхности β-SiC(100): были выявлены и изучены различные поверхностные реконструкции, обнаружено контролируемое формирование прямых, очень длинных и высокостабильных линий кремниевых димеров, самоорганизующихся на поверхности β-SiC(100). Расстояние между этими линиями определяется временем и температурой отжига. Однако многие детали (состав, модели элементарных ячеек и т.п.) все еще являются предметом обсуждений.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000979

PACS: 68.35.Rh, 68.65.+g, 71.10.Pm, 73.61.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108a.0801
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/
Web of Science

000173352300001
Цитата: Аристов В Ю "Поверхность β-SiC (100): атомная структура и электронные свойства" УФН 171 801–826 (2001)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Aristov:2001,
	author = {V. Yu. Aristov},
	title = {β-SiC(100) surface: atomic structures and electronic properties},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {2001},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {171},
	number = {8},
	pages = {801-826},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/a/},
	doi = {10.3367/UFNr.0171.200108a.0801}
}

English citation: Aristov V Yu “β-SiC(100) surface: atomic structures and electronic properties” Phys. Usp. 44 761–783 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000979