Выпуски

 / 

2001

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Псевдощель в высокотемпературных сверхпроводниках


Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Обзор посвящен описанию основных экспериментальных фактов и ряда теоретических моделей, касающихся псевдощелевого состояния высокотемпературных сверхпроводников. На фазовой диаграмме ВТСП-купратов псевдощелевое состояние наблюдается в области концентраций носителей тока меньше оптимальных и проявляется в целом ряде аномалий их электронных свойств. Причиной возникновения псевдощелевых аномалий являются, по-видимому, флуктуации антиферромагнитного ближнего порядка, развивающиеся по мере приближения системы к области существования антиферромагнитной фазы. Взаимодействие носителей тока с этими флуктуациями приводит к анизотропной перестройке электронного спектра и к нефермижидкостному поведению на определенных участках поверхности Ферми. Обсуждаются простые теоретические модели, описывающие основные свойства псевдощелевого состояния, в том числе особенности сверхпроводящего состояния, вызванные такой перестройкой электронного спектра.

Текст pdf (912 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n05ABEH000902
PACS: 74.20.Mn, 74.72.−h, 74.25.−q, 74.25.Jb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200105c.0539
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/5/c/
000170938900003
Цитата: Садовский М В "Псевдощель в высокотемпературных сверхпроводниках" УФН 171 539–564 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Sadovskii M V “Pseudogap in high-temperature superconductorsPhys. Usp. 44 515–539 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n05ABEH000902

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение