Выпуски

 / 

2001

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Размытые мартенситные переходы и пластичность кристаллов с эффектом памяти формы


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

В рамках термодинамического подхода и модели самосогласованного поля для параметра порядка теоретически рассмотрен механизм возникновения бездиффузионных мартенситных переходов в твердых телах. На основе сформулированных уравнений развита теория размытых фазовых переходов как теория кинетического равновесия гетерофазных структур, учитывающая гетерогенный механизм возникновения зародышей новой фазы и взаимодействие межфазных границ с различными структурными дефектами в реальном материале. Проведено полномасштабное сопоставление теории с экспериментальными данными по термоупругим мартенситным превращениям в металлических сплавах с эффектом памяти формы. На примере сегнетоэлектрических и сегнетоэластических переходов в классических сегнетоэлектриках и высокотемпературных сверхпроводниках продемонстрирован универсальный характер рассматриваемой теории.

Текст pdf (544 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/pu2001v044n02ABEH000760
PACS: 64.10.+h, 64.70.Kb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200102c.0187
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/2/c/
000170938500003
Цитата: Малыгин Г А "Размытые мартенситные переходы и пластичность кристаллов с эффектом памяти формы" УФН 171 187–212 (2001)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Размытые мартенситные переходы и пластичность кристаллов с эффектом памяти формы
%A Г. А. Малыгин
%I Успехи физических наук
%D 2001
%J Усп. физ. наук
%V 171
%N 2
%P 187-212
%U https://ufn.ru/ru/articles/2001/2/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0171.200102c.0187

English citation: Malygin G A “Diffuse martensitic transitions and the plasticity of crystals with a shape memory effectPhys. Usp. 44 173 (2001); DOI: 10.1070/pu2001v044n02ABEH000760

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение