Выпуски

 / 

2001

 / 

Supplement

  

Superconductor-metal-insulator transitions


Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers

 а,  б,  б,  а,  в
а Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, лаборатория криоэлектроники, Воробьевы горы, г. Москва, 119992, Russia , г. Москва, Россия
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
в Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

We report a new type of single-electron transistor (SET) comprising two highly resistive Cr thin-film strips ($\sim1$ $\mu$m long) connecting a $1 \mu$m-long Al island to two Al outer electrodes. These resistors replace small-area oxide tunnel junctions of traditional SETs. Our transistor with a total asymptotic resistance of $110$ k$\Omega$ showed a very sharp Coulomb blockade and reproducible, deep and strictly eperiodic gate modulation in wide ranges of bias currents $I$ and gate voltages $V_g$. In the Coulomb blockade region ($|V|\leqslant$ about $0.5$ mV), we observed a strong suppression of the co-tunneling current allowing appreciable modulation curves $V(V_g)$ to be measured at currents $I$ as low as $100$ fA. The noise figure of our SET was found to be similar to that of typical Al/AlO$_x$/Al single-electron transistors, viz. $\delta Q\approx5\times 10^{-4}e/\sqrt{\mathrm{Hz}}$ at $10$ Hz.

Текст pdf (271 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/1063-7869/44/10S/S25
PACS: 71.30.+h, 73.23.Hk, 74.50.+r, 74.76.-w (все)
DOI: 10.1070/1063-7869/44/10S/S25
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/13/y/
Цитата: Krupenin V A, Zorin A B, Presnov D E, Savvateev M N, Niemeyer J "Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers" УФН 171 113–116 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krupenin V A, Zorin A B, Presnov D E, Savvateev M N, Niemeyer J “Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriersPhys. Usp. 44 113–116 (2001); DOI: 10.1070/1063-7869/44/10S/S25

Статьи, ссылающиеся на эту (2) ↓ Похожие статьи (3)

  1. Bozhev I V, Trifonov A S et al Moscow Univ. Phys. 75 70 (2020)
  2. Renteria J, Samnakay R et al Journal of Applied Physics 115 034305 (2014)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение