RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

октябрь

←  →

Конференции и симпозиумы


Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (несколько исторических замечаний)


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

На пленарном заседании очередной 10-й Международной конференции по сегнетоэлектричеству, проходившей 3–7 сентября в Мадриде (Испания), был сделан доклад, содержание которого отражено в данной статье. Речь идет преимущественно о работах В.Л. Гинзбурга и других российских физиков в области теории сегнетоэлектрических явлений.

Текст pdf (277 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n10ABEH001021
PACS: 01.10.Fv, 01.65.+g, 77.80.Bh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200110j.1091
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/10/j/
000173788400010
Цитата: Гинзбург В Л "Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (несколько исторических замечаний)" УФН 171 1091–1097 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Ginzburg V L “Phase transitions in ferroelectrics: some historical remarks” Phys. Usp. 44 1037–1043 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n10ABEH001021

Список литературы (66) Статьи, ссылающиеся на эту (57) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Cai W, Zhao G et al Nano Letters 26 (31) 10376 (2026)
  2. Pham-Phu T, Kozinov S Computer Methods in Applied Mechanics and Engineering 451 118671 (2026)
  3. Meriga S, Chowdary M K et al J. Electron. Mater. 54 (7) 5883 (2025)
  4. Huang P, Chen S et al npj Comput Mater 12 (1) (2025)
  5. Kumar V, Maurya R K, Mummaneni K Materials Science and Engineering: B 307 117523 (2024)
  6. Meriga S, Bhowmick B Appl. Phys. A 130 (4) (2024)
  7. Liu M, He Sh et al npj Comput Mater 10 (1) (2024)
  8. Li T, Deng Sh et al Chem. Rev. 124 (11) 7045 (2024)
  9. Ramesh R, Salahuddin S et al APL Materials 12 (9) (2024)
  10. Chen T, Wang B et al Phys. Rev. B 109 (9) (2024)
  11. Ospelnikov O N, Barabanova E V Известия Российской академии наук. Серия физическая 87 (4) 546 (2023)
  12. Zhang L, Pu Y et al Journal of the European Ceramic Society 43 (14) 5713 (2023)
  13. Maurya R K, Kumar V et al Microelectronics Journal 139 105892 (2023)
  14. Meriga S, Bhowmick B Trans. Electr. Electron. Mater. 24 (6) 589 (2023)
  15. Zhuang Sh, Hu J-M Phys. Rev. B 106 (14) (2022)
  16. Buragohain P, Erickson A et al Adv Funct Materials 32 (9) (2022)
  17. Malvika, Choudhuri B, Mummaneni K Microelectronics Journal 127 105542 (2022)
  18. Prosandeev S, Prokhorenko S et al Adv Elect Materials 8 (12) (2022)
  19. Milinskiy A Yu, Baryshnikov S V, Zeeva A A Ferroelectrics 590 (1) 1 (2022)
  20. Baryshnikov S V, Milinskii A Yu Phys. Solid State 63 (5) 785 (2021)
  21. Das B, Bhowmick B IEEE Trans. Ultrason., Ferroelect., Freq. Contr. 68 (4) 1437 (2021)
  22. Kamaei S, Saeidi A et al npj 2D Mater Appl 5 (1) (2021)
  23. Casella L, Zaccone A J. Phys.: Condens. Matter 33 (16) 165401 (2021)
  24. Baryshnikov S V, Milinskii A Yu Phys. Solid State 62 (11) 2084 (2020)
  25. Baryshnikov S V, Stukova E V et al Ferroelectrics 567 (1) 67 (2020)
  26. Maksimova O G, Petrova T O et al Advanced Structured Materials Vol. Wave Dynamics, Mechanics and Physics of Microstructured MetamaterialsSimulation of the Surface Structure of Ferroelectric Thin Films109 Chapter 4 (2019) p. 33
  27. Bolotovskii B M, Malykin G B Phys.-Usp. 62 (10) 1012 (2019)
  28. Rasool R, Najeeb-ud-Din, Rather G M J Comput Electron 18 (4) 1207 (2019)
  29. Rasool R, Najeeb-ud-Din, Rather G M J. Semicond. 40 (12) 122401 (2019)
  30. Tomchenko M D Ukr. J. Phys. 64 (6) 509 (2019)
  31. Baryshnikov S, Milinskiy A, Stukova E Ferroelectrics 536 (1) 91 (2018)
  32. Singh L, Kaur B et al Ferroelectrics Letters Section 45 (4-6) 84 (2018)
  33. Rasool R, Rather G M, ud-Din N Integrated Ferroelectrics 185 (1) 93 (2017)
  34. Es-Sakhi A D, Chowdhury M H 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), (2015) p. 1
  35. Es-Sakhi A D, Chowdhury M H Materials Science in Semiconductor Processing 39 596 (2015)
  36. Electromagnetic Phenomena in Matter 1 (2015) p. 689
  37. Ionescu A M, Balestra F et al Beyond‐CMOS Nanodevices 2 1 (2014) p. 5
  38. Caputo J-G, Maimistov A I, Kazantseva E V J. Opt. 15 (2) 025203 (2013)
  39. Salvatore G A, Rusu A, Ionescu A M Applied Physics Letters 100 (16) (2012)
  40. Salvatore G A, Lattanzio L et al IEEE Trans. Electron Devices 58 (9) 3162 (2011)
  41. Kazantseva E V, Mishina E D et al Ferroelectrics 400 (1) 269 (2010)
  42. Caputo J -G, Maimistov A I et al Phys. Rev. B 82 (9) (2010)
  43. Marianetti C A, Yevick H G Phys. Rev. Lett. 105 (24) (2010)
  44. Salvatore G A, Lattanzio L et al Applied Physics Letters 97 (5) (2010)
  45. Salvatore G A, Lattanzio L et al 2010 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, (2010) p. 218
  46. On Superconductivity and Superfluidity Chapter 6 (2009) p. 175
  47. Martin D R, Matyushov D V Europhys. Lett. 82 (1) 16003 (2008)
  48. Martin D R, Matyushov D V The Journal of Chemical Physics 129 (17) (2008)
  49. Sannikov D G Ferroelectrics 354 (1) 39 (2007)
  50. Lemanov V V Ferroelectrics 354 (1) 69 (2007)
  51. Kornev I A, Bellaiche L Phase Transitions 80 (4-5) 385 (2007)
  52. Chandra P, Littlewood P B Topics in Applied Physics Vol. Physics of FerroelectricsA Landau Primer for Ferroelectrics105 Chapter 3 (2007) p. 69
  53. Prosandeev S, Ponomareva I et al Phys. Rev. Lett. 96 (23) (2006)
  54. Schmid H Magnetoelectric Interaction Phenomena in Crystals Chapter 1 (2004) p. 1
  55. Kelman M B, McIntyre P C et al J. Mater. Res. 18 (1) 173 (2003)
  56. Kelman M B, McIntyre P C et al Journal of Applied Physics 93 (11) 9231 (2003)
  57. Ginzburg V L Uspekhi Fizicheskikh Nauk 172 (2) 213 (2002) [Ginzburg V L Phys.-Usp. 45 (2) 205 (2002)]
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение