RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2025
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

Октябрь

←  →

Конференции и симпозиумы


Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (несколько исторических замечаний)


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

На пленарном заседании очередной 10-й Международной конференции по сегнетоэлектричеству, проходившей 3-7 сентября в Мадриде (Испания), был сделан доклад, содержание которого отражено в данной статье. Речь идет преимущественно о работах В.Л. Гинзбурга и других российских физиков в области теории сегнетоэлектрических явлений.

Текст pdf (277 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n10ABEH001021
PACS: 01.10.Fv, 01.65.+g, 77.80.Bh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200110j.1091
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/10/j/
000173788400010
Цитата: Гинзбург В Л "Фазовые переходы в сегнетоэлектриках (несколько исторических замечаний)" УФН 171 1091–1097 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Ginzburg V L “Phase transitions in ferroelectrics: some historical remarks” Phys. Usp. 44 1037–1043 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n10ABEH001021

Список литературы (66) Статьи, ссылающиеся на эту (55) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Meriga S, Chowdary M K et al J. Electron. Mater. 54 (7) 5883 (2025)
  2. Huang P, Chen S et al npj Comput Mater (2025)
  3. Ramesh R, Salahuddin S et al APL Materials 12 (9) (2024)
  4. Liu M, He Sh et al npj Comput Mater 10 (1) (2024)
  5. Meriga S, Bhowmick B Appl. Phys. A 130 (4) (2024)
  6. Li T, Deng Sh et al Chem. Rev. 124 (11) 7045 (2024)
  7. Chen T, Wang B et al Phys. Rev. B 109 (9) (2024)
  8. Kumar V, Maurya R K, Mummaneni K Materials Science and Engineering: B 307 117523 (2024)
  9. Maurya R K, Kumar V et al Microelectronics Journal 139 105892 (2023)
  10. Meriga S, Bhowmick B Trans. Electr. Electron. Mater. 24 (6) 589 (2023)
  11. Zhang L, Pu Y et al Journal of the European Ceramic Society 43 (14) 5713 (2023)
  12. Ospelnikov O N, Barabanova E V Известия Российской академии наук. Серия физическая 87 (4) 546 (2023)
  13. Milinskiy A Yu, Baryshnikov S V, Zeeva A A Ferroelectrics 590 (1) 1 (2022)
  14. Zhuang Sh, Hu J-M Phys. Rev. B 106 (14) (2022)
  15. Prosandeev S, Prokhorenko S et al Adv Elect Materials 8 (12) (2022)
  16. Buragohain P, Erickson A et al Adv Funct Materials 32 (9) (2022)
  17. Malvika, Choudhuri B, Mummaneni K Microelectronics Journal 127 105542 (2022)
  18. Kamaei S, Saeidi A et al npj 2D Mater Appl 5 (1) (2021)
  19. Das B, Bhowmick B IEEE Trans. Ultrason., Ferroelect., Freq. Contr. 68 (4) 1437 (2021)
  20. Baryshnikov S V, Milinskii A Yu Phys. Solid State 63 (5) 785 (2021)
  21. Casella L, Zaccone A J. Phys.: Condens. Matter 33 (16) 165401 (2021)
  22. Baryshnikov S V, Milinskii A Yu Phys. Solid State 62 (11) 2084 (2020)
  23. Baryshnikov S V, Stukova E V et al Ferroelectrics 567 (1) 67 (2020)
  24. Bolotovskii B M, Malykin G B Phys.-Usp. 62 (10) 1012 (2019)
  25. Rasool R, Najeeb-ud-Din, Rather G M J. Semicond. 40 (12) 122401 (2019)
  26. Tomchenko M D Ukr. J. Phys. 64 (6) 509 (2019)
  27. Maksimova O G, Petrova T O et al Advanced Structured Materials Vol. Wave Dynamics, Mechanics and Physics of Microstructured MetamaterialsSimulation of the Surface Structure of Ferroelectric Thin Films109 Chapter 4 (2019) p. 33
  28. Rasool R, Najeeb-ud-Din, Rather G M J Comput Electron 18 (4) 1207 (2019)
  29. Singh L, Kaur B et al Ferroelectrics Letters Section 45 (4-6) 84 (2018)
  30. Baryshnikov S, Milinskiy A, Stukova E Ferroelectrics 536 (1) 91 (2018)
  31. Rasool R, Rather G M, ud-Din Najeeb Integrated Ferroelectrics 185 (1) 93 (2017)
  32. Electromagnetic Phenomena in Matter 1 (2015) p. 689
  33. Es-Sakhi A D, Chowdhury M H Materials Science in Semiconductor Processing 39 596 (2015)
  34. Es-Sakhi A D, Chowdhury M H 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), (2015) p. 1
  35. Ionescu A M, Balestra F et al Beyond‐CMOS Nanodevices 2 1 (2014) p. 5
  36. Caputo J-G, Maimistov A I, Kazantseva E V J. Opt. 15 (2) 025203 (2013)
  37. Salvatore G A, Rusu A, Ionescu A M Applied Physics Letters 100 (16) (2012)
  38. Salvatore G A, Lattanzio L et al IEEE Trans. Electron Devices 58 (9) 3162 (2011)
  39. Caputo J -G, Maimistov A I et al Phys. Rev. B 82 (9) (2010)
  40. Salvatore G A, Lattanzio L et al 2010 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, (2010) p. 218
  41. Salvatore G A, Lattanzio L et al Applied Physics Letters 97 (5) (2010)
  42. Kazantseva E V, Mishina E D et al Ferroelectrics 400 (1) 269 (2010)
  43. Marianetti C A, Yevick H G Phys. Rev. Lett. 105 (24) (2010)
  44. On Superconductivity and Superfluidity Chapter 6 (2009) p. 175
  45. Martin D R, Matyushov D V Europhys. Lett. 82 (1) 16003 (2008)
  46. Martin D R, Matyushov D V The Journal of Chemical Physics 129 (17) (2008)
  47. Sannikov D G Ferroelectrics 354 (1) 39 (2007)
  48. Chandra P, Littlewood P B Topics in Applied Physics Vol. Physics of FerroelectricsA Landau Primer for Ferroelectrics105 Chapter 3 (2007) p. 69
  49. Kornev I A, Bellaiche L Phase Transitions 80 (4-5) 385 (2007)
  50. Lemanov V V Ferroelectrics 354 (1) 69 (2007)
  51. Prosandeev S, Ponomareva I et al Phys. Rev. Lett. 96 (23) (2006)
  52. Schmid H Magnetoelectric Interaction Phenomena in Crystals Chapter 1 (2004) p. 1
  53. Kelman M B, McIntyre P C et al Journal of Applied Physics 93 (11) 9231 (2003)
  54. Kelman M B, McIntyre P C et al J. Mater. Res. 18 (1) 173 (2003)
  55. Ginzburg V L Uspekhi Fizicheskikh Nauk 172 (2) 213 (2002) [Ginzburg V L Phys.-Usp. 45 (2) 205 (2002)]
© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение