Выпуски

 / 

2000

 / 

Май

  

Конференции и симпозиумы


Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов «соразмерная-несоразмерная структура» в хемосорбированных слоях галогена

, ,
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст pdf (307 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000755
PACS: 61.16.Ch, 61.50.Ks, 64.70.−p (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005i.0571
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/i/
000165080500008
Цитата: Андрюшечкин Б В, Ельцов К Н, Шевлюга В М "Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов "соразмерная-несоразмерная структура" в хемосорбированных слоях галогена" УФН 170 571–575 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов "соразмерная – несоразмерная структура" в хемосорбированных слоях галогена
A1 Андрюшечкин,Б.В.
A1 Ельцов,К.Н.
A1 Шевлюга,В.М.
PB Успехи физических наук
PY 2000
FD 10 May, 2000
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 170
IS 5
SP 571-575
DO 10.3367/UFNr.0170.200005i.0571
LK https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/i/

English citation: Andryushechkin B V, El’tsov K N, Shevlyuga V M “Scanning tunneling microscopy of ’commensurate-incommensurate’ structural phase transitions in the chemisorbed layers of halogensPhys. Usp. 43 527–530 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000755

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение