Выпуски

 / 

2000

 / 

Май

  

Конференции и симпозиумы


Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов «соразмерная-несоразмерная структура» в хемосорбированных слоях галогена

, ,
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст pdf (307 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000755
PACS: 61.16.Ch, 61.50.Ks, 64.70.−p (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005i.0571
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/i/
000165080500008
Цитата: Андрюшечкин Б В, Ельцов К Н, Шевлюга В М "Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов "соразмерная-несоразмерная структура" в хемосорбированных слоях галогена" УФН 170 571–575 (2000)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов "соразмерная – несоразмерная структура" в хемосорбированных слоях галогена
AU Андрюшечкин, Б. В.
AU Ельцов, К. Н.
AU Шевлюга, В. М.
PB Успехи физических наук
PY 2000
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 170
IS 5
SP 571-575
UR https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/i/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200005i.0571

English citation: Andryushechkin B V, El’tsov K N, Shevlyuga V M “Scanning tunneling microscopy of ’commensurate-incommensurate’ structural phase transitions in the chemisorbed layers of halogensPhys. Usp. 43 527–530 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000755

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение