Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода

В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.В. Крашенинников, А.И. Подливаев
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Каширское шоссе 31, Москва, 115409, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (145 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000701

PACS: 73.20.−r, 73.23.−b, 73.40.Gk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003l.0333
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/l/
Web of Science

000087162100012
Цитата: Елесин В Ф, Катеев И Ю, Крашенинников А В, Подливаев А И "Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода" УФН 170 333–335 (2000)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Теория когерентной генерации  туннельно-резонансного диода
A1 Елесин,В.Ф.
A1 Катеев,И.Ю.
A1 Крашенинников,А.В.
A1 Подливаев,А.И.
PB Успехи физических наук
PY 2000
FD 10 Mar, 2000
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 170
IS 3
SP 333-335
DO 10.3367/UFNr.0170.200003l.0333
LK https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/l/

English citation: Elesin V F, Kateev I Yu, Krasheninnikov A V, Podlivaev A I “Theory of coherent oscillations in a resonant tunneling diode” Phys. Usp. 43 291–293 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000701