Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода

В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.В. Крашенинников, А.И. Подливаев
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Каширское шоссе 31, Москва, 115409, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (145 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000701

PACS: 73.20.−r, 73.23.−b, 73.40.Gk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003l.0333
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/l/
Web of Science

000087162100012
Цитата: Елесин В Ф, Катеев И Ю, Крашенинников А В, Подливаев А И "Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода" УФН 170 333–335 (2000)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Elesin:2000,
	author = {В. Ф. Елесин and И. Ю. Катеев and А. В. Крашенинников and А. И. Подливаев},
	title = {Теория когерентной генерации  туннельно-резонансного диода},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2000},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {170},
	number = {3},
	pages = {333-335},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/l/},
	doi = {10.3367/UFNr.0170.200003l.0333}
}

English citation: Elesin V F, Kateev I Yu, Krasheninnikov A V, Podlivaev A I “Theory of coherent oscillations in a resonant tunneling diode” Phys. Usp. 43 291–293 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000701