Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода

В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.В. Крашенинников, А.И. Подливаев
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Каширское шоссе 31, Москва, 115409, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (145 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000701

PACS: 73.20.−r, 73.23.−b, 73.40.Gk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003l.0333
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/l/
Web of Science

000087162100012
Цитата: Елесин В Ф, Катеев И Ю, Крашенинников А В, Подливаев А И "Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода" УФН 170 333–335 (2000)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Теория когерентной генерации  туннельно-резонансного диода
%A В. Ф. Елесин
%A И. Ю. Катеев
%A А. В. Крашенинников
%A А. И. Подливаев
%I Успехи физических наук
%D 2000
%J Усп. физ. наук
%V 170
%N 3
%P 333-335
%U https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/l/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200003l.0333

English citation: Elesin V F, Kateev I Yu, Krasheninnikov A V, Podlivaev A I “Theory of coherent oscillations in a resonant tunneling diode” Phys. Usp. 43 291–293 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000701