Выпуски

 / 

2000

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Низкоразмерные электроны в криволинейных наноструктурах

, ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Текст pdf (174 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000698
PACS: 73.20.−r, 73.25.+i, 73.50.−h, 73.61.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003i.0325
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/i/
000087162100009
Цитата: Магарилл Л И, Романов Д А, Чаплик А В "Низкоразмерные электроны в криволинейных наноструктурах" УФН 170 325–327 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Magarill L I, Romanov D A, Chaplik A V “Low-dimensional electrons in curvilinear nanostructuresPhys. Usp. 43 283–285 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000698

Список литературы (4) Статьи, ссылающиеся на эту (6) Похожие статьи (20) ↓

  1. Л.И. Магарилл, А.В. Чаплик, М.В. Энтин «Спектр и кинетика электронов в криволинейных наноструктурах» УФН 175 995 (2005)
  2. Л.И. Магарилл, А.В. Чаплик и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской федерации «Электроны в криволинейных структурах»» УФН 175 995 (2005)
  3. А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев «Бездиссипативная динамика электронов в наноструктурах» УФН 165 225–227 (1995)
  4. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев и др. «Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода» УФН 170 333–335 (2000)
  5. В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» УФН 170 335–338 (2000)
  6. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов «Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками» УФН 171 1371–1373 (2001)
  7. Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» УФН 171 1365–1367 (2001)
  8. Б.А. Волков «Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI» УФН 173 1013–1015 (2003)
  9. С.Н. Артеменко, А.Ф. Волков, С.В. Зайцев-Зотов «Квазиодномерные проводники с волной зарядовой плотности» УФН 166 434–439 (1996)
  10. Е.М. Дижур, В.А. Вентцель, А.Н. Вороновский «Квантовый транспорт при высоких давлениях» УФН 178 1111–1118 (2008)
  11. С.В. Морозов «Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей» УФН 182 437–442 (2012)
  12. О.А. Панкратов «Поверхностные состояния топологических изоляторов» УФН 188 1226–1237 (2018)
  13. С.А. Тарасенко «Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты» УФН 188 1129–1134 (2018)
  14. С.А. Никитов, Д.В. Калябин и др. «Магноника — новое направление спинтроники и спин-волновой электроники» УФН 185 1099–1128 (2015)
  15. В.М. Пудалов, С.Г. Семенчинский, В.С. Эдельман «Заряд и потенциал инверсионного слоя МДП-структуры в квантующем магнитном поле» УФН 146 536–538 (1985)
  16. А.И. Романенко, А.В. Окотруб и др. «Неоднородные электронные состояния в углеродных наноструктурах различной размерности и кривизны образующих их графеновых слоев» УФН 175 1000–1004 (2005)
  17. В.В. Белов, С.Ю. Доброхотов и др. «Обобщенный адиабатический принцип для описания динамики электрона в искривленных наноструктурах» УФН 175 1004–1010 (2005)
  18. В.Б. Тимофеев «Электронные корреляционные явления в полупроводниковых структурах низкой размерности и наноструктурах» УФН 174 1109–1116 (2004)
  19. В.М. Агранович «Экситоны и оптические нелинейности в гибридных органических-неорганических наноструктурах» УФН 169 348–348 (1999)
  20. Е.Л. Ивченко «Циркулярный фотогальванический эффект в наноструктурах» УФН 172 1461–1465 (2002)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение