Выпуски

 / 

1999

 / 

Февраль

  

Методические заметки


Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

 а,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Department of Physics, University of Athens, 104 Solonos str., Athens, 10680, Greece

Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.

Текст pdf (492 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589
PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/
000079341200004
Цитата: Вавилов В С, Эфимиу П К, Зардас Дж Е "Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV" УФН 169 209–212 (1999)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compounds
AU Vavilov, V. S.
AU Euthymiou, P. C.
AU Zardas, G. E.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1999
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 169
IS 2
SP 209-212
UR https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0169.199902e.0209

English citation: Vavilov V S, Euthymiou P C, Zardas G E “Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compoundsPhys. Usp. 42 199–201 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение