Нелинейная экранировка, спиновая и циклотронная щели для двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs гетеропереходах

В.Т. Долгополов^а, А.А. Шашкин^а, А.В. Аристов^а, Д. Шмерек^б, В. Хансен^б, Й.П. Коттхаус^в, М. Холланд^г
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
^бInstitut fur Angewandte Physik, Universitaet Hamburg, Hamburg, Germany
^вLudwig-Maximilians-Universitat, Munchen, Germany
^гUniversity of Glasgow, Glasgow, United Kingdom

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (689 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000346

PACS: 72.70.+m, 73.40.Hm, 73.50.Td (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802j.0147
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/j/
Web of Science

000072729300010
Цитата: Долгополов В Т, Шашкин А А, Аристов А В, Шмерек Д, Хансен В, Коттхаус Й П, Холланд М "Нелинейная экранировка, спиновая и циклотронная щели для двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs гетеропереходах" УФН 168 147–150 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Dolgopolov V T, Shashkin A A, Aristov A V, Schmerek D, Hansen W, Kotthaus J P, Halland M “Nonlinear screening, and spin and cyclotron gaps in the 2D electron gas of GaAs/AlGaAs heterojunctions” Phys. Usp. 41 138–141 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000346