Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все) DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/ A1997XB47600003 Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors A1 Vavilov,V.S. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1997 FD 10 Apr, 1997 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 167 IS 4 SP 407-412 DO 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407 LK https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/ English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228