Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы

Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

Текст pdf (292 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228

PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199704c.0407
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
Web of Science

A1997XB47600003
Цитата: Вавилов В С "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" УФН 167 407–412 (1997)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors
%A V. S. Vavilov
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 1997
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 167
%N 4
%P 407-412
%U https://ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199704c.0407

English citation: Vavilov V S “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors” Phys. Usp. 40 387–392 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n04ABEH000228