Выпуски

 / 

1997

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Алмаз в твердотельной электронике


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В сжатой форме приведены данные о физических свойствах алмаза как материала твердотельной электроники. Основное внимание обращено на кристаллы синтетического алмаза и на алмазные пленки, осаждаемые из газовой плазмы.

Текст pdf (240 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199
PACS: 07.50.Yd, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
A1997WJ28400002
Цитата: Вавилов В С "Алмаз в твердотельной электронике" УФН 167 17–22 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Diamond in solid state electronics
A1 Vavilov,V.S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1997
FD 10 Jan, 1997
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 167
IS 1
SP 17-22
DO 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
LK https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/

English citation: Vavilov V S “Diamond in solid state electronicsPhys. Usp. 40 15–20 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение