Выпуски

 / 

1997

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Алмаз в твердотельной электронике


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В сжатой форме приведены данные о физических свойствах алмаза как материала твердотельной электроники. Основное внимание обращено на кристаллы синтетического алмаза и на алмазные пленки, осаждаемые из газовой плазмы.

Текст pdf (240 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199
PACS: 07.50.Yd, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
A1997WJ28400002
Цитата: Вавилов В С "Алмаз в твердотельной электронике" УФН 167 17–22 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Vavilov:1997,
	author = {V. S. Vavilov},
	title = {Diamond in solid state electronics},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1997},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {167},
	number = {1},
	pages = {17-22},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/},
	doi = {10.3367/UFNr.0167.199701b.0017}
}

English citation: Vavilov V S “Diamond in solid state electronicsPhys. Usp. 40 15–20 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение