Выпуски

 / 

1997

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Алмаз в твердотельной электронике


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В сжатой форме приведены данные о физических свойствах алмаза как материала твердотельной электроники. Основное внимание обращено на кристаллы синтетического алмаза и на алмазные пленки, осаждаемые из газовой плазмы.

Текст pdf (240 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199
PACS: 07.50.Yd, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
A1997WJ28400002
Цитата: Вавилов В С "Алмаз в твердотельной электронике" УФН 167 17–22 (1997)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Diamond in solid state electronics
AU Vavilov, V. S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1997
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 167
IS 1
SP 17-22
UR https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199701b.0017

English citation: Vavilov V S “Diamond in solid state electronicsPhys. Usp. 40 15–20 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение