Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Сверхтоковые состояния в одномерных кольцах конечного размера

 а,  а,  б,  б
а Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Каширское шоссе 31, Москва, 115409, Российская Федерация
б Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», пл. акад. Курчатова 1, Москва, 123182, Российская Федерация
Текст pdf (294 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001544
PACS: 71.27.+a, 74.90.+n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608q.0905
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/q/
Цитата: Кашурников В А, Подливаев А И, Прокофьев Н В, Свистунов Б В "Сверхтоковые состояния в одномерных кольцах конечного размера" УФН 166 905–905 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kashurnikov V A, Podlivaev A I, Prokof’ev N V, Svistunov B V “Supercurrent states in finite one-dimensional ringsPhys. Usp. 39 847–847 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001544

Похожие статьи (20) ↓

  1. Г.Ф. Жарков «Сверхпроводящие состояния и магнитный гистерезис в сверхпроводниках конечного размера» 174 1012–1017 (2004)
  2. В.Д. Кулаковский «Корреляционные эффекты в электронно-дырочной магнитоплазме в квантовых ямах» 166 900–900 (1996)
  3. Дж. Дельфт, Д.С. Голубев и др. «Эффект четности в малых сверхпроводящих гранулах» 166 907–907 (1996)
  4. Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» 166 906–907 (1996)
  5. Л.С. Левитов, А.В. Шитов «Кулоновская аномалия при туннелировании в плохой проводник» 166 906–906 (1996)
  6. С.И. Дорожкин «Магнетотранспортные и магнетоемкостные исследования двумерных электронных систем в сильных магнитных полях: целочисленный и дробный квантовые эффекты Холла, диэлектрическое состояние» 166 904–905 (1996)
  7. Е.С. Солдатов, А.С. Трифонов и др. «Кластерные туннельные структуры и коррелированное туннелирование электронов в них» 166 903–903 (1996)
  8. В.Е. Кравцов «Мультифрактальность волновых функций и статистика уровней энергии вблизи перехода Андерсона» 166 900–901 (1996)
  9. Ю.В. Дубровский, В.Г. Попов и др. «Резонансы при туннелировании в гетероструктурах с одиночным барьером» 166 900–900 (1996)
  10. В.Ф. Гантмахер, М.В. Фейгельман «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы «Черноголовка — 97». Встречи в мезоскопической области» 168 113–116 (1998)
  11. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев «Магнитооптика сильно скоррелированных низкоразмерных электронных систем» 163 (1) 105–108 (1993)
  12. В.А. Гавричков, Е.В. Кузьмин, С.Г. Овчинников «Электронная структура и симметрия параметра порядка высокотемпературных сверхпроводников» 170 189–192 (2000)
  13. М.В. Фейгельман, В.В. Рязанов, В.Б. Тимофеев «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы "Черноголовка-2000′. Квантовая мезоскопика: современное состояние» 171 1099–1115 (2001)
  14. С.В. Демишев, В.Н. Рыжов, С.М. Стишов «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления (11 апреля 2003 г., г. Троицк, Московская обл.)» 174 449–456 (2004)
  15. П.И. Арсеев, С.В. Демишев и др. «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления» 175 1125–1139 (2005)
  16. С.В. Иорданский, А. Кашуба «Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур» 176 219–222 (2006)
  17. Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» 176 222–227 (2006)
  18. В.М. Пудалов «Переход металл-изолятор в двумерной сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления» 176 213 (2006)
  19. В. Хансен, Д. Шмерек, К. Штайнебах «Основные состояния в одномерной электронной системе» 168 188–192 (1998)
  20. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев и др. «Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода» 170 333–335 (2000)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение