Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Резонансы при туннелировании в гетероструктурах с одиночным барьером

 а,  а,  а,  а,  а,  б,  б,  в,  в
а Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация
б Department of Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden
в High Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France
Текст pdf (294 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001533
PACS: 71.27.+a, 73.20.Dx
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608g.0900
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/g/
Цитата: Дубровский Ю В, Попов В Г, Вдовин Е Е, Ханин Ю Н, Ларкин И А, Андерсон Т Г, Тордсон И В, Портал Дж С, Мауд Д К "Резонансы при туннелировании в гетероструктурах с одиночным барьером" УФН 166 900–900 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Dubrovskii Yu V, Popov V G, Vdovin E E, Khanin Yu N, Larkin I A, Andersson T G, Tordson J, Portal J C, Maude D K “Tunnelling resonances in a single-barrier heterostructurePhys. Usp. 39 842–842 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001533

Список литературы (2) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Fal'koV I, Meshkov S V Semicond. Sci. Technol. 6 196 (1991)
  2. Vdovin E E et al Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 61 566 (1995); Vdovin E E et al JETP Lett. 61 576 (1995)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение