Выпуски

 / 

1996

 / 

Июль

  

Библиография


Современные сведения о полупроводниках


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст pdf (105 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526
PACS: 01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/
A1996VC59800011
Цитата: Вавилов В С "Современные сведения о полупроводниках" УФН 166 807–808 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP
byA Dargys and J Kundrotas AU Vavilov V S FAU Vavilov VS DP 10 Jul, 1996 TA Usp. Fiz. Nauk VI 166 IP 7 PG 807-808 RX 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807 URL https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/ SO Usp. Fiz. Nauk 1996 Jul 10;166(7):807-808

English citation: Vavilov V S “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP byA Dargys and J KundrotasPhys. Usp. 39 757–757 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение