Выпуски

 / 

1996

 / 

Апрель

  

Конференции и симпозиумы


Перколяционные переходы металл-диэлектрик в двумерных электронных системах


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Сессия РАН 29.11.1995 г.

Текст pdf (183 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n04ABEH001509
PACS: 01.10.Fv, 64.60.Ak, 71.30.+h, 73.30.+y (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199604e.0428
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/4/e/
A1996UQ05700006
Цитата: Долгополов В Т "Перколяционные переходы металл-диэлектрик в двумерных электронных системах" УФН 166 428–431 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Dolgopolov V T “Percolation metal-dielectric transitions in two-dimensional electron systemsPhys. Usp. 39 398–401 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n04ABEH001509

Список литературы (22) ↓ Похожие статьи (20)

  1. The Quantum Hall Effect, Prange R E, Girvin S M (Eds) (New York, Berlin, Heidelberg, London, Paris, Tokyo: Springer-Verlag, 1987)
  2. Laughlin R B Phys. Rev. B 23 5632 (1981)
  3. Halperin B I Phys. Rev. B 25 2185 (1982)
  4. von Klitzing K, Dorda G, Pepper M Phys. Rev. Lett. 45 494 (1980)
  5. Büttiker M Phys. Rev. B 38 9375 (1988)
  6. Shklovskii D B, Shklovskii B I, Glazman L I Phys. Rev. B 46 4026 (1992)
  7. Haug R J Semicond. Sci. Technol. 8 131 (1993)
  8. Долгополов В Т, Житенев Н Б, Шашкин А А Письма в ЖЭТФ 52 826 (1990); Dolgopolov V T, Zhitenev N B, Shashkin A A JETP Lett. 52 196 (1990)
  9. Dolgopolov V T et al. Phys. Rev. B 46 12560 (1992)
  10. Dolgopolov V T et al. Phys. Rev. B 48 8480 (1993)
  11. Shashkin A A et al. Phys. Rev. Lett. 73 3141 (1994)
  12. Шкловский Б И Физика и техника полупроводников 13 93 (1979)
  13. Dolgopolov V T et al. Phys. Rev. B 46 13303 (1992)
  14. Shashkin A A, Dolgopolov V Т, Kravchenko G V Phys. Rev. B 49 14486 (1994)
  15. , Исследования свойств диэлектрической фазы σxy в слабых магнитных полях на холловских мостиках МДП-структур кремния эквивалентного и более высокого качества выполнено в ряде работ В М Пудалова с соавторами (см., например, [16])
  16. Kravchenko S V, Furneaux J Е, Pudalov V M Phys. Rev. B 49 2250 (1994); Pudalov V M, D’lorio M, Campbell J W Surf. Sci. 305 107 (1994)
  17. Долгополов В Т Письма в ЖЭТФ 62 152 (1995)
  18. Кукушкин И В, Тимофеев В Б УФН 163 (7) 1 (1993)
  19. Kulik L V et al. Phys. Rev. B 51 13876 (1995)
  20. Shklovskii В I, Efros A L Electronic Properties of Doped Semiconductors (New York: Springer-Verlag, 1984)
  21. Glozman I, Johnson C E, Jiang H W Phys. Rev. Lett. 74 594 (1995)
  22. Kravchenko S V et al. Phys. Rev. Lett. (1995), in press

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение