Описываются аномалии электронных свойств бесщелевых полупроводников, легированных переходными элементами (железо, хром), образующими глубокие резонансные донорные состояния, т.е. состояния, вырожденные с континуумом зоны проводимости. Излагается анализ многочисленных исследований, который показывает, что своеобразие свойств обсуждаемых материалов, в частности, такая яркая аномалия, как рост подвижности электронов при увеличении концентрации легирующей примеси, обусловлено коррелированным распределением заряженных доноров в кристалле, являющимся следствием кулоновского взаимодействия между донорами. Исследования резонансных состояний в полупроводниках является новым направлением в физике твердого тела, представляющим одновременно и практический интерес, поскольку позволяет, например, получать материалы с максимальными подвижностями электронов. Табл. 2. Ил. 23. Библиогр. ссылок 32

%0 Journal Article
%T Zero-gap semiconductors with magnetic impurities forming resonance donor states
%A I. M. Tsidil’kovskii
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 1992
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 162
%N 2
%P 63-105
%U https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0162.199202b.0063