Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния

В.Б. Тимофеев
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Рецензия на книгу: Semiconductor Silicon: Material Science and Technology: Proceedings of the Summer School. Erice, Trapani, Sicily, July 3 ?твфырж 15, 1988./Eds G. Harbeke, M. J. Schulz. — Berlin; Heidelberg; New York; London; Paris; Tokyo; Hong Kong: Springer-Verlag, 1988. — 360 p.— (Springer Series in Material Science. V. 13).

Текст pdf (89 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1990v033n06ABEH002604

PACS: 01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0160.199006g.0168
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1990/6/g/
Цитата: Тимофеев В Б "Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния" УФН 160 (6) 168–170 (1990)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Current state of semiconductor silicon technology and material science
A1 Timofeev,V.B.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1990
FD 10 Jun, 1990
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 160
IS 6
SP 168-170
DO 10.3367/UFNr.0160.199006g.0168
LK https://ufn.ru/ru/articles/1990/6/g/

English citation: Timofeev V B “Current state of semiconductor silicon technology and material science” Sov. Phys. Usp. 33 (6) 492–493 (1990); DOI: 10.1070/PU1990v033n06ABEH002604