Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния

В.Б. Тимофеев
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Рецензия на книгу: Semiconductor Silicon: Material Science and Technology: Proceedings of the Summer School. Erice, Trapani, Sicily, July 3 ?твфырж 15, 1988./Eds G. Harbeke, M. J. Schulz. — Berlin; Heidelberg; New York; London; Paris; Tokyo; Hong Kong: Springer-Verlag, 1988. — 360 p.— (Springer Series in Material Science. V. 13).

Текст pdf (89 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1990v033n06ABEH002604

PACS: 01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0160.199006g.0168
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1990/6/g/
Цитата: Тимофеев В Б "Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния" УФН 160 (6) 168–170 (1990)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Current state of semiconductor silicon technology and material science
AU Timofeev, V. B.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1990
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 160
IS 6
SP 168-170
UR https://ufn.ru/ru/articles/1990/6/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0160.199006g.0168

English citation: Timofeev V B “Current state of semiconductor silicon technology and material science” Sov. Phys. Usp. 33 (6) 492–493 (1990); DOI: 10.1070/PU1990v033n06ABEH002604