Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния

В.Б. Тимофеев
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Рецензия на книгу: Semiconductor Silicon: Material Science and Technology: Proceedings of the Summer School. Erice, Trapani, Sicily, July 3 ?твфырж 15, 1988./Eds G. Harbeke, M. J. Schulz. — Berlin; Heidelberg; New York; London; Paris; Tokyo; Hong Kong: Springer-Verlag, 1988. — 360 p.— (Springer Series in Material Science. V. 13).

Текст pdf (89 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1990v033n06ABEH002604

PACS: 01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0160.199006g.0168
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1990/6/g/
Цитата: Тимофеев В Б "Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния" УФН 160 (6) 168–170 (1990)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Timofeev V B “Current state of semiconductor silicon technology and material science” Sov. Phys. Usp. 33 (6) 492–493 (1990); DOI: 10.1070/PU1990v033n06ABEH002604