Б.А. Волкова,
О.А. Панкратов аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
27 и 28 ноября 1985 г. в Институте физических проблем им. С. И. Вавилова АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были
заслушаны доклады:
27 ноября
1. А. А. С о б я н и н. Общие свойства систем с «двойной» критической
точкой.
2. И. Л. Ф а б е л и н с к и й, С. В. К р и в о х и ж а, Л. Л. Ч а й к о в. Экспериментальное исследование растворов с «двойной» критической точкой.
3. А. А. В о л к о в, Г. В. К о з л о в, Е. Б. К р ю к о в а, А. А. С о б я н и н. Новое о динамике кристаллов сегнетовой соли (системы с «двойной» критической точкой).
28 ноября
4. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках.
5. Л. А. Ф а л ь к о в с к и й. Происхождение электронных спектров
полуметаллов V группы.
6. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы.
Краткое содержание докладов приводится ниже.
PACS:71.23.Ft, 77.22.−d, 71.55.Ht (все) DOI:10.3367/UFNr.0149.198606h.0334 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/h/ Цитата: Волков Б А, Панкратов О А "Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках" УФН149 334–336 (1986)